Меню

Транзисторы с током коллектора 20а

Транзисторы биполярные (BJTs) более 1000

  • 20
  • 40
  • 60

Транзисторы биполярные – трёхэлектродные полупроводниковые приборы, у которых электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью.

В зависимости от способа чередования бывают p-n-p и n-p-n биполярные транзисторы.

В отличие от полевых транзисторов, работа биполярных основывается на переносе электрического заряда двух типов, носители которых – дырки и электроны.

Электроды, подключаемые к среднему слою, называются базой, а электроды, подключаемые к внешним слоям – коллектором и эмиттером (эти слои различаются степенью легирования примесями).

Посмотреть и купить товар вы можете в наших магазинах в городах: Москва, Санкт-Петербург, Архангельск, Барнаул, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Иваново, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Киров, Кострома, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саранск, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Чебоксары, Челябинск, Ярославль. Доставка заказа почтой, через систему доставки Pickpoint или через салоны «Связной» в следующие города: Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Чебоксары, Калининград, Улан-Удэ, Сочи, Иваново, Брянск, Сургут, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Курган, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и еще в более чем 1000 городов и населенных пунктов по всей России.

Товары из группы «Транзисторы биполярные (BJTs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Источник

Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

Читайте также:  Номинальный ток предохранителя выбирается

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Читайте также:  Измерение тока напряжения с шунтом

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

$ R = \frac<U - U_d data-lazy-src=

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Источник



Транзисторы большой мощности

Транзисторы большой мощности биполярные до 100 Вт и силовые с током коллектора до 100 А широко исполь­зуются в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в регулируемых электроприводах. Транзисторы соответствуют ТУ 16-729.308-81, ТУ 16-729. 911-81 и другим стандартам и выпускаются в штыревом (транзисторы ТК142 от 40 до 63 А и ТК152 от 80 до 100 А) и фланцевом исполнении.

Читайте также:  Правила поведения при работе с электрическим током

Транзисторы допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от 60 до +45 ˚C при атмосферном давлении 0,085—0,105 МПа, относительной влажности 98% при 35 ˚C. Максимально допустимая температура перехода от —45, —60 до +125, +100.

Обозначение основных параметров:

Рк тах — наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая

lк max — длительно допустимый наибольший постоянный ток коллектора;

lки max — наибольший допустимый импульсный ток коллектора (tи=10Mc);

наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

Uкэи mах — наибольшее импульсное напряжение коллектор-эмиттер;

напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

Iкн — ток насыщения коллектора;

h21э — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Iб max — наибольший допустимый постоянный ток базы;

Uэб max — наибольшее допустимое постоянное напряжение эмиттер-база;

f гр —допустимая (граничная) частота.

Сведения о биполярных низкочастотных транзисторах серии КТ приведены в табл. 15.1.

Таблица 15.1 Транзисторы низкочастотные серии КТ

Источник

Тема: Транзистор для мощного БП

Обратные ссылки
Опции темы

Транзистор для мощного БП

  • Поделиться
    • Поделиться этим сообщением через
    • Digg
    • Del.icio.us
    • Technorati
    • Разместить в ВКонтакте
    • Разместить в Facebook
    • Разместить в MySpace
    • Разместить в Twitter
    • Разместить в ЖЖ
    • Разместить в Google
    • Разместить в Yahoo
    • Разместить в Яндекс.Закладках
    • Разместить в Ссылки@Mail.Ru
    • Reddit!
  • Поделиться
    • Поделиться этим сообщением через
    • Digg
    • Del.icio.us
    • Technorati
    • Разместить в ВКонтакте
    • Разместить в Facebook
    • Разместить в MySpace
    • Разместить в Twitter
    • Разместить в ЖЖ
    • Разместить в Google
    • Разместить в Yahoo
    • Разместить в Яндекс.Закладках
    • Разместить в Ссылки@Mail.Ru
    • Reddit!

Нашел в продаже несколько вариантов:
TIP35C 25а 125Вт,
MJ11016 составной 30А 200Вт,
2SC1470 30а 200 Вт
2SC3998 25А 250Вт — кто — нибудь такими пользовался?

В наличии есть TIP35C — но мне кажется, Рк маловата — 125Вт.
Заинтересовал MJ11016 — но такой корпус не смогу закрепить на игольчатом радиаторе.
Склоняюсь к 2SC3998.

Радиатор будет игольчатый 150 или 180*85мм, иглы выс. 15мм, возможно сделаю обдув вентилятором с термовыключателем.

Источник