Меню

Варакин бестрансформаторные усилители мощности

Бестрансформаторные усилители мощности

О произведении

Другие книги автора

ЭЛЕКТРОННАЯ КНИГА Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

ЦИФРОВАЯ КОММУТАЦИОННАЯ СИСТЕМА Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

СПОСОБ ОБЕСПЕЧЕНИЯ АВАРИЙНОГО ПИТАНИЯ СОТОВЫХ РАДИОТЕЛЕФОНОВ Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ УСЛУГ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СЕТИ Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

СПОСОБ ПРОКЛАДКИ МОРСКИХ ПОДВОДНЫХ КАБЕЛЕЙ Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

Технологии электронных коммуникаций Тюменская областная научная библиотека им. Д. И. Менделеева

Бестрансформаторные усилители : учеб. пособие / Л.Е. Варакин Белгородская государственная уиверсальная научная библиотека

Пожалуйста, авторизуйтесь

Ссылка скопирована в буфер обмена

Вы запросили доступ к охраняемому произведению.

Это издание охраняется авторским правом. Доступ к нему может быть предоставлен в помещении библиотек — участников НЭБ, имеющих электронный читальный зал НЭБ (ЭЧЗ).

В связи с тем что сейчас посещение читальных залов библиотек ограничено, документ доступен онлайн. Для чтения необходима авторизация через «Госуслуги».

Для получения доступа нажмите кнопку «Читать (ЕСИА)».

Если вы являетесь правообладателем этого документа, сообщите нам об этом. Заполните форму.

Источник

Бестрансформаторные усилители мощности. Л.Е. Варакин. 1984 г.

Л.Е. Варакин.

Москва «Радио и Связь» 1984 г., 128 стр.

См. фото. Кника в прозрачной обёртке, фактически новая.

Бестрансформаторные усилители мощности.

Л.Е. Варакин.

Москва «Радио и Связь» 1984 г., 128 стр.

См. фото. Кника в прозрачной обёртке, фактически новая.

Читать обязательно.

ЗДРАВСТВУЙТЕ ВСЕ, КТО ПОСЕТИЛ СИЮ СТРАНИЦУ!

ЧТОБЫ ИСКЛЮЧИТЬ НЕДОПОНИМАНИЕ И НЕНУЖНЫЕ СПОРЫ, ОБЯЗАТЕЛЬНО, ПЕРЕД ТЕМ, КАК СДЕЛАТЬ СТАВКУ или СОВЕРШИТЬ ПОКУПКУ,

ПРОЧТИТЕ, ПОЖАЛУЙСТА, РАЗДЕЛ ОБО МНЕ >>> https://meshok.net/info/521784

Благодарю Вас за взаимопонимание.

. В почтовом отделении при отправке всё чаще стали придираться к отправлениям не печатной продукции не посылками, а бандеролями (хотя и маскирую отправляемое под печатную продукцию), которыми можно отправлять только печатную продукцию, посему стоимость доставки, указанная в описании к лотам может быть другой (увеличиться), в зависимости от категории товара, размещённого в конкретном объявлениии. Спрашивайте до покупки лота, сколько будет стоить его отправка.

Читайте также:  Годовое потребление энергии потребляемая мощность

Мне надоело «бодаться» на почте с операторами.

Источник



Бестрансформаторные усилители мощности

Бестрансформаторные усилители мощности применяют с целью уменьшения габаритов и веса усилителей и улучшения их частотных характеристик [11]. Однако при этом существенно усложняются вопросы согласования сопротивления нагрузки с выходным сопротивлением транзисторного каскада. Необходимо обеспечить с помощью подбора типа транзистора, чтобы его выходное сопротивление примерно равнялось сопротивлению нагрузки. Поэтому при низкоомной нагрузке требуются мощные транзисторы.

Рисунок 4.20 — Осциллограммы работы двухтактного усилителя
мощности в режиме класса «В»

Схема с непосредственным подключением нагрузки к выходу усилителя мощности на однотипных (p–n–p или n–p–n) транзисторах приведена на рис. 4.21 а, а с подключением нагрузки через конденсатор — на рис. 4.21 б.

Рисунок 4.21 — Бестрансформаторные усилители мощности
на однотипных транзисторах

Схемы требуют двух противофазных входных сигналов, которые не подключены к общей шине усилителя. Это создает некоторое техническое неудобство и ухудшает помехозащищенность схем по входам. Схема с непосредственным подключением нагрузки требует два источника питания, обеспечивающих потенциал точки 1 равным нулю (общей шины). Схема с подключением нагрузки через конденсатор C не требует потенциала точки 1 равного нулю (Рис. 4.21 б), поэтому схема питается от одного источника питания.

Под действием входных сигналов один из транзисторов открывается, другой — закрывается, что обеспечивает протекание тока через нагрузку в одном или в другом (противоположном) направлении. Равенство выходных сопротивлений транзисторов VT1 и VT2 сопротивлению нагрузки обеспечивает максимальную мощность в нагрузке

На рис.4.22 а, б приведены схемы усилителей мощности на разнотипных транзисторах, что позволяет использовать один (общий) источник входного сигнала. На рис. 4.22 а приведена схема с непосредственным подключением нагрузки, а на рис. 4.22 б — с подключением нагрузки через конденсатор. Недостатком этих схем также является низкая помехозащищенность, так как источник входного сигнала не может быть соединен с общей шиной усилителя.

Читайте также:  Правила функционирования рынка электрической мощности

Более полное описание различных схем бестрансформаторных усилителей мощности приведено в [11].

Рисунок 4.22 — Бестрансформаторные усилители мощности
на разнотипных транзисторах

14 АНАЛОГОВЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ.
ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМАХ

8.1 Классификация аналоговых интегральных микросхем
и элементы их схемотехники, взаимные компоненты, входные каскады

Построение аппаратуры на основе аналоговых интегральных микросхем (АИМС) основано на многоцелевом использовании ИМС в сочетании с различными внешними элементами. Например: на базе ОУПТ можно получить схемы сумматоров, вычитателей, умножителей, делителей, дифференциаторов, интеграторов, логарифматоров, антилогарифматоров и др.

Область применения линейных АИМС: аналоговая и цифровая схемотехника, измерительные приборы, блоки ЭВМ, блоки питания, устройства радиосвязи, систем телеметрии и пр.

Номенклатура АИМС [16]:

– усилители с одиночным каскадом, дифференциальным входным каскадом;

– блоки питания (стабилизации).

АИМС бывают малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции.

МИС — усилители одиночные, многокаскадные, простейшие ОУ; число элементов на кристалле до 100.

СИС — элементы типа ЦАП, АЦП; количество элементов на кристалле до 10 3 .

БИС — процессор, элементы памяти; 10 4 элементов на кристалле.

СБИС — мощные процессоры, большие объемы памяти; более 10 5 элементов на кристалле.

Размеры кристалла от нескольких квадратных миллиметров до квадратных сантиметров.

– существенно меньшие габариты и вес, потребляемая мощность, чем сборные на дискретных компонентах;

– более высокая вибро-, ударо- и радиационная стойкость;

– очень высокая надежность (надежность ИМС приравнивается к показателю надежности одного типового элемента);

– существенно меньшая стоимость при массовом производстве;

– высокая идентичность параметров элементов микросхем;

– высокая температурная стабильность микросхемы (одинаковый температурный режим и одинаковые характеристики основных элементов).

1. ОУ — многоцелевые структуры на базе которых строятся различные функциональные устройства (компоненты цифровых устройств и приборов).

Читайте также:  Паровой молот мощностью 482 квт

2. Инструментальные АИМС — многоцелевые высокоточные устройства, предназначенные для выполнения точных преобразований электрических сигналов. Они могут включать в себя и аналоговые и цифровые элементы схемотехники. Для повышения стабильности аналоговых устройств они применяются с сильными обратными связями.

3. Радиочастотные АИМС — для преобразования и усиления сигналов радиотехнических устройств, цепей, сетей связи, работающих в диапазоне радиочастот .

4. Силовые АИМС — для применения в блоках питания и усилителях мощности (электронные стабилизаторы; мощные выходные каскады).

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет

Источник